‍淮师新闻网6月22日电（记者马鹏程）近期，中科院上海微系统所谢晓明研究员应邀在物电学院会议室作了题为《石墨烯单晶晶圆制备与带隙调控》的学术报告，物电学院学科成员及部分本科生聆听了报告会。

谢晓明从石墨烯的生长过程谈起，到石墨烯应用到微电子系统用通俗易懂的语言生动有趣的描述出来。随后，谢晓明重点介绍了他们课题组创新性的工作进展及研究成果：（1）在Cu₈₅Ni₁₅合金催化衬底上通过单核控制制备大尺寸石墨烯单晶；（2）在Ge衬底上通过取向外延制备晶园级石墨烯单晶薄膜；（3）通过在六角氮化硼hBN沟槽中制备石墨烯纳米带实现带隙调控，并实现了从“不可能”到“可能”。精彩的报告，深入浅出，不时赢得听众的阵阵掌声。

图为谢晓明研究员作学术报告。记者杨卓铭摄

会后，谢晓明还就老师们提出的“单晶生长技术”“单晶生长装置”以及“性能表征”等专业问题进行了互动交流。同时，谢晓明还就老师和本科生的科研兴趣激发、科研方向选择以及如何通过与相关科研院所开展合作研究，尽快提升自身科研水平等问题给予热心的解答和指导。

‍谢晓明，中科院上海微系统所研究员，博士生导师，上海微系统所副所长、中科院超导电子学卓越创新中心执行主任、信息功能材料国家重点实验室副主任，上海科技大学、中国科学院大学特聘教授，上海市领军人才。1985年毕业于武汉大学物理系，1990年在中国科学上海微系统与信息技术研究所获博士学位并留所工作，1993年至1995年在法国巴黎工业物理化学高等工程师学院(ESPCI)做访问学者，1995年至2005年在上海微系统所从事电子可靠性研究，2005年起主要从事超导和石墨烯量子材料、超导量子干涉器件及其在生物影像、地球物理探测等领域的应用基础研究。主持中科院Ｂ类战略先导专项、国家重大科研装备研制项目、国家重大专项等重大科研项目。曾获得上海市首届自然科学牡丹奖和第五届中国青年科技奖。发表研究论文约200篇，申请专利约130项。近日，谢晓明领导的研究团队在石墨烯/六方氮化硼平面异质结研究取得新进展，采用化学气相沉积（CVD）方法成功制备出单原子层高质量石墨烯/六方氮化硼平面异质结，并将其成功应用于WSe₂/MoS₂二维光电探测器件，研究成果以题为‍“Synthesis of High -Quality Graphene and Hexagonal Boron Nitride Monolayer In-Plane Heterostructure on Cu-Ni Alloy”2017年5月19日在Advanced Science上发表。