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主 题：电子器件和光电器件的多尺度模拟

主 讲：任志勇

时 间：2016年3月4日(周五)下午2：00

地 点：理工楼北204会议室

主 办：淮阴师范学院科技处物理与电子电气工程学院 省现代检测技术与智能系统重点建设实验室淮安市物理学会

报告摘要：现代电子器件的不断缩小意味着量子效应的重要性日益增加。随着晶体管的特征尺寸逼近10纳米，包括量子效应和原子细节的模拟是不可避免的。我们发展了一种新颖的混合量子力学和电磁学（QM/EM）的方法来对纳米尺度单电子元件进行建模。在系统的不同区域，以自洽的方式分别求解QM和EM模型。该方法有望弥补量子力学计算和电路建模之间的差距。我们将介绍此方法在场效应晶体管和光电器件中的应用。

报告人简介：任志勇，特聘研究员。2004年博士毕业于香港大学化学系。2009年-2010年在德国不来梅大学从事博士后研究。2012年入选中组部第四批“青年千人”人才引进计划。2013年任北京计算科学研究中心特聘研究员，同年获得国家基金委优秀青年科学基金。主要研究方向包括发展针对大型量子体系激发态的线性标度方法，并用以处理含上万个原子体系的动态过程。于2011年提出并实现了多尺度QM/EM方法，并将其应用于碳纳米管、场效应管等纳米电子器件的模拟与研究。

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